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东芝内存公司宣布推出96层3D闪存

作者:张国荣 来源:博乐体育 发布时间:2021-09-23 20:07

  东芝内存公司第四代BiCS FLASH™层数增加,储存容量提高

东京--(美国商业信息)--内存解决方案全球领导者今日宣布,公司已开发出采用堆叠式结构[1]的96层BiCS FLASH™三维(3D)闪存的原型样品,该产品采用三位元(三阶储存单元,TLC)技术。该96层新产品为256 Gigabit (32 GB)设备,其样品预计将于2017年下半年发布,量产计划于2018年启动。该新设备满足企业级和消费级SSD、智慧型手机、平板电脑和记忆卡等应用的市场需求和效能规范。

 

未来,东芝内存公司将在不久的将来在其512 Gigabit (64 GB)等较大容量产品中应用其新的96层制程技术和4位元(四阶储存单元,QLC)技术。

 

创新的96层层叠制程结合了雪铁龙的电路和制程技术,与64层层叠制程相比,其每单元芯片尺寸储存容量增加约40%。该制程降低了位元储存价格并提高了每个硅芯片内存容量的可制造性。

 

自2007年宣布推出全球首款[2]3D闪存技术原型机以来,东芝内存公司不断推动3D闪存的发展并积极推广BiCS FLASH™技术,以满足市场对更小裸芯片体积、更大容量闪存的需求。

 

该96层BiCS FLASH™将在四日市生产据点5号晶圆厂(Fab 5)、2号新晶圆厂(Fab 2)和将于2018夏季投产的6号晶圆厂(Fab 6)生产。

 

注:
1.一种在硅基板上垂直堆叠闪存储存单元的结构,相较于平面NAND闪存(储存单元位于硅基板上),其密度大幅提高。
2.资料来源:东芝内存公司,截至2007年6月12日。
* 本文提及的公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。

 

原文版本可在businesswire.com上查阅:

 

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联络方式:

 

东芝内存公司
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业务规划部